Однобоковая полированная монокристаллическая подложка Si 3*3 мм/Кремниевая



Сохраните в закладки:

Цена:3 432,39RUB
*Стоимость могла изменится

Количество:


Новое поступление

Advanced Materials Research Specialist Store

Advanced Materials Research Specialist Store

Магазина Advanced Materials Research Specialist Store работает с 18.11.2015. его рейтинг составлет 85.71 баллов из 100. В избранное добавили 360 покупателя. Средний рейтинг торваров продавца 4.7 в продаже представленно 2266 наименований товаров, успешно доставлено 86 заказов. 7 покупателей оставили отзывы о продавце.

Характеристики

Однобоковая полированная монокристаллическая подложка Si 3*3 мм/Кремниевая

История изменения цены

*Текущая стоимость 3 432,39 уже могла изменится. Что бы узнать актуальную цену и проверить наличие товара, нажмите "Добавить в корзину"

Месяц Минимальная цена Макс. стоимость Цена
Jul-25-2026 4084.71 руб. 4288.75 руб. 4186 руб.
Jun-25-2026 4050.46 руб. 4253.35 руб. 4151.5 руб.
May-25-2026 3398.34 руб. 3568.54 руб. 3483 руб.
Apr-25-2026 3981.64 руб. 4180.84 руб. 4080.5 руб.
Mar-25-2026 3466.48 руб. 3639.9 руб. 3552.5 руб.
Feb-25-2026 3912.10 руб. 4108.67 руб. 4010 руб.
Jan-25-2026 3878.91 руб. 4072.0 руб. 3975 руб.
Dec-25-2025 3844.58 руб. 4036.10 руб. 3940 руб.
Nov-25-2025 3810.5 руб. 4001.6 руб. 3905.5 руб.

Описание товара

Однобоковая полированная монокристаллическая подложка Si 3*3 мм/КремниеваяОднобоковая полированная монокристаллическая подложка Si 3*3 мм/КремниеваяОднобоковая полированная монокристаллическая подложка Si 3*3 мм/КремниеваяОднобоковая полированная монокристаллическая подложка Si 3*3 мм/КремниеваяОднобоковая полированная монокристаллическая подложка Si 3*3 мм/КремниеваяОднобоковая полированная монокристаллическая подложка Si 3*3 мм/Кремниевая


 Характеристики:   

1. Материал: Кремний высокой чистоты

2. Длина: 3 мм

3. Ширина: 3 мм

4. Толщина: 650 мкм, 725 мкм

5. Удельное сопротивление: 0,001-50/10,5 ∙см

6. Ориентация: <100>

7. Полировка: односторонняя полировка

8. Плоскость: <1 микрометр

9. Основное применение: Для Процесса переноса образцов синхротронного излучения, PVD/CVD покрытия подложки, магнетронного распыления, XRD, SEM, роста атомных сил образца, инфракрасной спектроскопии, флуоресцентной спектроскопии анализа испытательной подложки, субстрата, субстрата, молекулярный пучок эпитаксиального роста полупроводникового кристального рентгеновского анализа.   

 

   1456237


Смотрите так же другие товары: